Фоторезист негативный
Негативный фоторезист водощелочного проявления
Фоторезист предназначен для реализации фотолитографических процессов с последующим гальваническим осаждением металлов в производстве интегральных схем, печатных микроплат, электроформованных сит, и в других областях, где используются методы прецизионной фотолитографии и гальванопластики. Фоторезист изготовлен на основе сополимеров метакрилового ряда.
Формирование пленки на подложке осуществляется центрифугированием или погружением в раствор. Высокое качество сформированного в фоторезисте рельефа достигается в результате проведения сушки и фотополимеризации облученных участков.
Для обеспечения фотополимеризации пленка фоторезиста перед экспонированием покрывается защитным слоем, предохраняющим от доступа кислорода. Допускается нанесение защитного слоя методом погружения в раствор или поливом.
Особенностью фоторезиста является вертикальный профиль проявления при любых толщинах слоев. Выпускается фоторезист, обеспечивающий получение пленок толщиной от 5 мкм до 400 мкм.
Технические данные фоторезиста
| Внешний вид | вязкая прозрачная жидкость розового или синего цвета |
| Кинематическая вязкость, мм г/c | |
| Типичная толщина пленки, мкм | НФВЩ-5-10 |
| НФВЩ-25-27 | |
| НФВЩ-40-45 | |
| НФВЩ-70-75 | |
| НФВЩ-350-400 | |
| Проявитель | 2% раствор натрия углекислого |
| Условия сушки фоторезиста | 60 - 80°С, 20 - 30 мин. |
| Условия сушки защитного слоя | 20 - 30°С, до полного высыхания. |
| Спектральная чувствительность, нм | 330 - 410 |
| Разрешающая способность фоторезиста толщиной 5 - 10 мкм 25 - 27 мкм |
15 - 20 мкм 35 - 40 мкм |
| Термостойкость проявленного рельефа (отсутствие искажения размеров элементов) | до 170 - 180°С |
